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ITO靶材和銅背板

表1:

 

項目

規格

主要成分

In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它(ta)比(bi)例以(yi)客戶要求為(wei)準

純度

4N(雜質含(han)量見附表)

相對密度

≥99.3%(理論密度7.15g/cm3

電阻率

≤1.8Ω·mm2/m

失氧率

≤0.5%

物理規格

呈片狀(zhuang)或其他形狀(zhuang),其尺寸及(ji)偏(pian)差由(you)供需雙方(fang)商定

外觀質量

外觀顏色均勻;表面(mian)平整,無裂紋,無崩邊崩角(jiao),且無任何外來夾雜(za)物和污(wu)染物

內部缺陷

內部無裂紋,無異物

 

附表:

 

雜質含量(×10-6)不大于         單位:wt%

Fe

Pb

Zn

Ni

Cu

Cd

Al

Si

Ca

Mg

15

10

10

5

5

5

15

15

15

5