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ITO靶材

表1:

 

項目

規格

主要成分

In2O3:SnO2=90:10(wt%),其它比例以客戶(hu)要求為準

純度

4N(雜質含量見附表)

相對密度

≥99.3%(理論密度7.15g/cm3

電阻率

≤1.8Ω·mm2/m

失氧率

≤0.5%

物理規格

呈(cheng)片狀(zhuang)或其(qi)他形狀(zhuang),其(qi)尺寸及偏(pian)差由(you)供需雙方商定

外觀質量

外觀顏色(se)均勻(yun);表(biao)面平整(zheng),無(wu)裂紋,無(wu)崩邊崩角,且無(wu)任何外來夾雜物(wu)和(he)污染物(wu)

內部缺陷

內部無裂紋,無異物

 

附表:

 

雜質含量(×10-6)不大于         單位:wt%

Fe

Pb

Zn

Ni

Cu

Cd

Al

Si

Ca

Mg

15

10

10

5

5

5

15

15

15

5